当社の電気試験は、使用環境などを考慮し、試験メニューの検討・提案から対応します

電気試験のご紹介

高電圧マイグレーション試験

HV・EVなどの分野では、部品や基板について1000Vを超える高耐電圧化に対する要求があり、従来のマイグレーション試験では評価できませんでした。
高電圧マイグレーション試験では、監視装置の導入により、高電圧に特化した試験が可能となりました。
 
・マイグレーション監視装置により、高電圧の試験に特化
・絶縁閾値付近の精度を求め、カスタマイズ可能
・多チャンネルにも対応し、1000チャンネルを超えるような
　大規模試験にも対応可能

TDDB試験

半導体の酸化膜に電圧を継続的にかけると、時間が経つにつれ酸化膜の破壊が発生します。
これを酸化膜破壊(TDDB: Time Dependent Dielectric Breakdown)といい、半導体の寿命や信頼性を考える上で、最も重要な要因のうちの一つです。
TDDB試験においては、電圧加速による寿命試験を行います。
 
・複数電圧やドレインソース電圧印加、ゲートソース電圧印加等も可能
・恒温槽に入れて、温度加速と組み合わせて試験を行うことも可能
・その他、特殊なカスタム試験もご相談ください

HTRB試験

HTRB（High Temperature Reverse Bias/高温逆バイアス試験）とは、高温による半導体の劣化加速試験のことです。
高温、高電圧のストレスをかけて、リーク電流の挙動を測定することにより、故障の有無を確認します。
近年SiCが実用化されてきており、SiCは逆バイアス時のリーク電流が一般的に多く、高温逆バイアス試験の重要性が増しております。
 
・印加電圧等任意に設定可能
・DUTへの放熱対策等が必要であれば対応可
・その他特殊なカスタム試験もご相談可