分析・故障解析
Analysis
分析・故障解析

プラズマFIB-SEMの加工 〜分析性能と実例〜

SiCを用いたGa-FIBとプラズマFIBの加工速度比較

Ga-FIBは5時間以上加工してもSiCの断面が観察できないが、プラズマFIBは、1時間以内でSiCの断面加工が可能

パワーデバイス モジュールの裏面開封品 観察および分析

ソース・ゲートがある構造物まで加工・観察・分析が可能!! 一般的に、パワーデバイスの不良は、ソース・ゲート部分など、深さ80〜100μmの領域に出やすい。
従来のGa-FIBでは、加工深を50μmが限界。
プラズマFIBなら、100μm以上でも加工可能。 50μm以上の深い箇所のEDS分析が可能に※。
※分析箇所が深すぎると特性X線が検出器まで返ってこない為

プラズマFIB-SEM設備情報

本体メーカー:日本FEI(株)
型式:Helios G4 PFIB
EDS:Thermo Fisher Scientific 【加工電流値比較】
Ga-FIB:最大電流値/60nA
プラズマFIB:最大電流値/2.5μA(Ga-FIBの約42倍)

  • プラズマFIB