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事例紹介

  • 分析・故障解析2018/10/05

解析技術:静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜

故障解析手順

【Step 0】初動調査
●外観観察
●電気的特性測定 等

※故障箇所が変化しないように、ストレスの少ない手法から選んで、位置を絞り込んでいきます。

【Step 1】非破壊解析
●X線観察
●超音波顕微鏡 等

故障箇所特定
●ロックイン発熱解析
●IR-OBIRCH 等

【Step 2】物理解析
●断面研磨/SEM 等

詳細解析
●プラズマFIB
●FE-SEM/EDS
●STEM 等

Step 1:SiCチップの故障箇所特定(X線観察・超音波顕微鏡・LIT)

●破壊したサンプルの外観観察、及び非破壊検査
においては異常は確認されませんでした。
このことから、故障規模が微小であることが
推察されます。






●レーザーと薬液開封によりSiCチップを露出し、
LITによる発熱解析を行うことで微小な故障箇所を
絞り込みました。

解析技術:静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜

Step 2:故障箇所の詳細解析(プラズマFIB・FE-SEM/EDS)

アルミ電極を除去後にIR-OBIRCHで故障箇所を特定し、
最新のプラズマFIB装置を用いてSiCチップの断面図を
解析した結果、故障したセルのトレンチゲート左側の
酸化膜が破壊している様子が確認されました。

解析技術:静電気破壊 〜SiC-MOSFET/ロックイン発熱解析/プラズマFIBの活用〜

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